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COMPONENTES

A diferencia de la RAM convencional los datos no se almacenan como carga eléctrica o flujos de corriente, sino por medio de elementos de almacenamiento magnético. Los elementos están formados por dos discos ferromagnéticos, cada uno de los cuales puede mantener un campo magnético, separados por una fina capa de aislante. Uno de los dos discos se sitúa en un imán permanente con una polaridad dada; el otro variará para adecuarse al de un campo externo. Una malla de estas celdas forma un chip de memoria.

La lectura se realiza midiendo la resistencia eléctrica de la celda. En general, una celda se selecciona con base en la alimentación de un transistor asociado que conduce la corriente desde una línea de alimentación a través de la celda a tierra. El efecto túnel provoca cambios en la resistencia de la celda según la orientación de los campos de los dos discos. Midiendo la corriente generada, puede calcularse la resistencia y a partir de ésta la polaridad del disco escribible. En general suele considerarse '0' si la polaridad de ambos discos es la misma (el estado de menor resistencia).

La escritura puede realizarse de varias maneras. La más sencilla es que cada celda esté situada entre dos líneas de escritura que formen un ángulo adecuado entre sí por encima y debajo de la celda. Con la corriente se induce un campo magnético en la unión, y este campo influye en el disco escribible. Este patrón de operación es similar al de la memoria de núcleo de ferrita de los años 60. Es necesaria una cantidad significativa de corriente para generar el campo magnético lo que limita su uso en dispositivos con necesidades de bajo consumo. Además, conforme el tamaño se escala, los campos generados pueden solapar varias celdas con las escrituras falsas resultantes. Este problema parece imponer un tamaño de celda relativamente grande. Aunque se intentó solucionar con dominios circulares y la magnetorresistencia colosal, no parece que esta solución se esté desarrollando últimamente.

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